В последние годы силовая электроника оказала решающее влияние на технологию производства, распределения и преобразования электроэнергии. Современные полупроводники позволяют быстро и безопасно контролировать и преобразовывать электрическую энергию с минимальными потерями. Ключевыми участниками прогресса в этой области являются отключаемые силовые полупроводники, такие как IGBT (биполярные транзисторы с изолированными затворами), MOSFET (полупроводниковые транзисторы с эффектом окиси металла) и GTO (тиристоры с отключением затвора). Продукты VAC вносят значительный вклад в поддержание эффективности и безопасности при переключении полупроводников и передаче электроэнергии с низкими потерями.

Высокие частоты коммутации, высокое напряжение блокировки и мощность коммутации влияют на способ активации и управления полупроводником, обеспечивая безопасное и простое переключение. Приводные трансформаторы обеспечивают гальваническую развязку и одновременно подают коммутирующий сигнал и/или энергию для полупроводниковой цепи привода.

Трансформаторы должны отвечать ряду требований

- Высокая прочность изоляции

- Низкая емкость связи для высокой помехоустойчивости

- Компактная конструкция

- Низкая индуктивность рассеяния для высокой точности импульсов

- Передача коммутируемой мощности

- Широкий диапазон рабочих температур (например, от -40 °C до +105 °C)

- национальные и международные стандарты, например EN 50178, IEC 61800, UL508, IEC 62109, UL1741

Свойства трансформатора:

- До 1200 В постоянного тока для SMD; до 8,5 кВт для PTH

- Низкое число оборотов

- Доступные SMD-решения

- Меньшее число оборотов; высокая проницаемость

- Обычно от 2 до 20 ватт

- Низкие и линейные изменения проницаемости при изменении температуры

- Проектирование в соответствии с применимыми стандартами, проверка свойств путем инспекций и типовых испытаний