Быстрая термальная печь процесса вакуума с пандусом вверх по тарифу до 150 K/sec.

Главные особенности

хорошее единообразие температуры
точно контролируемые тарифы пандуса-вверх и быстрые тарифы пандуса-вниз
низкий отростчатый оборот
удобное управление газа
система столешницы с небольшой печатью ноги
Универсальный блок столешницы с передним нагружая ящиком для следующих применений:

превосходный инструмент для различных процессов полупроводника
снабжать новых процессов полупроводника
исследование прототипа
проверка качества
отжиг
Быстрые термальные процессы
SiAu, SiAl, сплавлять SiMo
низкие dielectrics k
столб имплантируя отжиг
медное включение затира
включение затира резистора
другие процессы по требованию
Технические данные:

для одиночной вафли до 150 mm (6") или 156 mm x размер субстрата 156 mm
(опционный: переходник для 100 mm)
отростчатая камера сделанная из стекла кварца (высоты камеры: 40 mm)
с интегрированным газом в и выходом
включая один отростчатый газопровод с массовым регулятором потока для азота (литр nlm 5 = нормы в MIN.)
нагретый 24 ультракрасными лампами (42 kW)
верхнее и нижнее топление
пандус вниз с тарифа: °C 200 K/min. T=1000 °C˃400.
пандус вниз с тарифа: °C °C˃100 30 K/min. T= 400.
вакуум способный для внешней насосной системы (до hPa 10E-3, для до hPa 10E-6: см. RTP-150-HV)
Регулятор SPS отростчатый с 50 программами и до 50 шагами по каждому (интерфейс локальных сетей), SIMATIC
7" сенсорная панель для легких программирования и управления производственным процессом
максимальное °C 1000 температуры
контроль температуры термопарой
требуемое водяное охлаждение
электрический тип соединения: 2x [32 штепсельная вилка CEE (3 x 230 v, 3 участок, n, PE>
печь размера: 504 mm x 504 mm (700) x 570 mm (w x d x h)
вес: 58 kg