Технология параллельной камеры PSX307 Plasma Cleaner обеспечивает превосходную равномерность травления по сравнению с обычными системами периодического действия. Очистка поверхности перед приклеиванием проводов или флип-чипов, активация поверхности и улучшение смачиваемости подложки и инкапсуляции пресс-форм.

Вариант PSX307A поддерживает как процессы на уровне пластин, так и традиционные процессы на уровне устройств на подложке. Модификация поверхности пластины перед нанесением изоляционного слоя, после нанесения перераспределительного слоя, прикрепления шариков или после удаления кубиков для улучшения процесса прикрепления матрицы.

ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Технология параллельных пластин, обеспечивающая однородность
Подложка или 300-миллиметровая пластина, с рамкой для удаления окалины или без нее
Запатентованный монитор плазмы (в режиме реального времени)
Прослеживаемость процесса на уровне единицы
Возможность использования аргона, кислорода или смешанного технологического газа

Метод очистки - параллельная пластина ВЧ методом обратного рассеяния
Газ для электрического разряда * - Ar [опция : O2]
[*1]
Размеры подложки (мм) * - L 50 x W 20 - L 250 x W 75 [*2] вкл. опцию типа S
L 50 x W 20 - L 330 x W 120, включая опцию типа M
Толщина подложки (мм) - от 0,5 до 2,0
Размеры (мм) / Масса * - Ш 930 x Д 1 100 x В 1 450 / 555 кг
Ш 1 764 x Д 1 100 x В 1 450 / 850 кг, включая опцию типа S
Ш 1 764 x Г 1 100 x В 1 450 / 770 кг, включая опцию типа M
[*3]
Источник питания * - 1-фазный переменный ток 200 В, 2,00 кВА [Полная нагрузка 5,00 кВА]
[*4]
Пневматический источник - 0,49 МПа или более, 6,5 л/мин [А.Н.Р
Идентификатор модели - PSX307A
Номер модели - NM-EFP3A
Метод очистки - параллельная пластина RF метод обратного рассеяния
Газ для электрического разряда - Ar [опция: O2, O2 + He]