Фотодиод InGaAs XSJ-10-D6-32

Фотодиод InGaAs XSJ-10-D6-32

Производитель: PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
Артикул:2477102
PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
*Цена по запросу
Отправить заявку

Мы принимаем заявки на поставку оборудования круглосуточно и только онлайн, через форму обратной связи или по электронной почте:

info@zipmachine.ru

Связаться с менеджером для консультации вы можете по телефону: +7 (800) 302-30-80 в будние дни с 09.00 до 18.00.

Описание
Описание

Это 25Gbps фотодиод чип, который является верхней подсветкой высокой скорости передачи данных PIN фотодиод чип, с активной площадью Φ32μm. Его особенности имеют высокую отзывчивость, низкую емкость, низкий темновой ток и отличную надежность, в основном в сочетании с высокопроизводительными трансимпедансными усилителями 25 Гбит/с (TIA), применение в дальних приложениях, высокая скорость передачи данных до 25 Гбит/с с одномодовым волоконно-оптическим приемником.

Характеристики

Активная область Φ32μm.
Меза-структура, площадка для соединения земля-сигнал-земля (GSG) сверху.
Низкий темновой ток, низкая емкость.
Высокая ответственность.
Типовая полоса пропускания: 16 ГГц.
Отличная надежность: Все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia-GR-468-CORE.
100% тестирование и проверка.
Соответствие стандарту RoHS2.0 (2011/65/EU).

Применение

передача данных со скоростью 25 Гбит/с.
беспроводная связь 5G.
Характеристики
Сборка PIN
Спецификации InGaAs
Так же смотрят