Фотодиод InGaAs XSJ-10-APD6-16

Фотодиод InGaAs XSJ-10-APD6-16

Производитель: PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
Артикул:2070893
PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
*Цена по запросу
Отправить заявку

Мы принимаем заявки на поставку оборудования круглосуточно и только онлайн, через форму обратной связи или по электронной почте:

info@zipmachine.ru

Связаться с менеджером для консультации вы можете по телефону: +7 (800) 302-30-80 в будние дни с 09.00 до 18.00.

Описание
Введение

Этот чип лавинного фотодиода 25 Гбит/с (APD чип) является разновидностью электродной структуры Ground-Signal (GS), размер активной области с верхней подсветкой составляет Φ16μm. Особенностью данного продукта является высокое умножение, низкая емкость, высокая пропускная способность, низкий температурный коэффициент и отличная надежность, применение в 25G EPON, 5G Wireless и 100GBASE-ER4.

Характеристики

Активная область Φ16μm.
Высокое умножение.
Высокая скорость передачи данных: свыше 25 Гбит/с.
Низкая емкость.
Низкий температурный коэффициент.
Отличная надежность: Все чипы прошли квалификационные требования, указанные Telcordia -GR-468-CORE.
100% тестирование и проверка.

Применение

25 Гбит/с PON
100GBASE-ER4(ER4-lite)
беспроводная связь 5G.
Характеристики
Сборка PIN, COC
Спецификации InGaAs, лавинный
Вы смотрели
Так же смотрят