PHEMOS-X - это эмиссионный микроскоп высокого разрешения, позволяющий точно определять места сбоев в полупроводниковых устройствах путем обнаружения слабого светового излучения и теплового излучения, вызванного дефектами.

Возможна установка двух сверхвысокочувствительных камер
Охват различных диапазонов длин волн обнаружения для эмиссионного и теплового анализа позволяет легко выбрать метод анализа, соответствующий образцу и режиму отказа.

Возможность установки до 5 источников света для OBIRCH, DALS и EOP
Высокоточная ступень, разработанная для современных устройств

PHEMOS-X накладывает эмиссионное изображение на изображение образца с высоким разрешением для быстрой локализации точек дефектов.

Функция повышения контрастности делает изображение более четким и детальным.

Функция отображения

Аннотации: Комментарии, стрелки и другие индикаторы могут отображаться на изображении в любом нужном месте.
Отображение масштаба: Ширина шкалы может быть отображена на изображении с помощью сегментов.
Отображение сетки: На изображении можно отображать вертикальные и горизонтальные линии сетки.
Отображение эскизов: Изображения можно сохранять и вызывать в виде эскизов, а также отображать информацию об изображении, например, координаты сцены.
Отображение разделенного экрана: Изображения паттерна, эмиссионные изображения, наложенные изображения и эталонные изображения могут быть отображены на экране в 6 окнах одновременно.