Концентрация допинга 0,2-25 атм. %
Искажение волнового фронта ≤λ/8 @ 633 нм
Коэффициент вымирания ≥28 дБ
Допуски по размерам Диаметр: +0,0 мм/-0,05 мм,
Длина +0,0 мм/-0,10 мм
Допуски по размерам Длина: ±1 мм
Погрешность распараллеливания ≤ 10 арсеналов в секунду
Перпендикулярность ≤ 10 аркмин
Плоскостность ≤λ/10 @ 633 нм
Качество поверхности 10-5 S-D

Он больше подходит для диодной накачки, чем традиционные системы с Nd-присадками. Он может накачиваться лазером с выходной мощностью 0,94 мкм. По сравнению с широко используемым кристаллом Nd:YAG, кристалл Yb:YAG обладает гораздо большей пропускной способностью поглощения для снижения требований к управлению температурой для диодных лазеров, более длительным сроком службы верхнего состояния, в три-четыре раза меньшей тепловой нагрузкой на единицу мощности насоса. Ожидается, что кристалл Yb:YAG заменит Nd:YAG для мощных лазеров с диодной накачкой и других потенциальных применений.