Транзистор MOSFET IPD900P06NM

Транзистор MOSFET IPD900P06NM

Производитель: Infineon Technologies AG
Артикул:2131249
Infineon Technologies AG
*Цена по запросу
Отправить заявку

Мы принимаем заявки на поставку оборудования круглосуточно и только онлайн, через форму обратной связи или по электронной почте:

info@zipmachine.ru

Связаться с менеджером для консультации вы можете по телефону: +7 (800) 302-30-80 в будние дни с 09.00 до 18.00.

Описание
P-канальные МОП-транзисторы обычного и логического уровня, снижающие сложность проектирования в приложениях средней и малой мощности



Р-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ на 60 В в корпусе DPAK представляют собой новую технологию, предназначенную для приложений управления аккумуляторами, переключения нагрузки и защиты от обратной полярности. Основным преимуществом P-канального устройства является снижение сложности проектирования в приложениях средней и малой мощности. Простой интерфейс с MCU, быстрое переключение, а также лавинная стойкость делают его пригодным для применения в высококачественных и требовательных приложениях. Они выпускаются с нормальным и логическим уровнем, характеризуются широким диапазоном RDS(on) и повышают эффективность при низких нагрузках благодаря низкому Qg.

Краткое описание характеристик:

Большинство изделий соответствует стандарту AEC Q101
Широкий диапазон RDS(on)
Наличие нормального уровня и логического уровня
Преимущества:

Простой интерфейс с MCU
Повышенная эффективность при низких нагрузках благодаря низкому Qg
Быстрое переключение
Лавинная прочность
Целевые применения:

Батарея
Потребительские
Промышленная автоматизация
Промышленные приводы
Характеристики
Другие характеристики для автомобильных технологий, лавинный
Тип MOSFET
Напряжение -60 V
Так же смотрят