Транзистор MOSFET IPD900P06NM
Производитель:
Infineon Technologies AG
*Цена по запросу
Мы принимаем заявки на поставку оборудования круглосуточно и только онлайн, через форму обратной связи или по электронной почте:
info@zipmachine.ru Связаться с менеджером для консультации вы можете по телефону: +7 (800) 302-30-80 в будние дни с 09.00 до 18.00.Описание
P-канальные МОП-транзисторы обычного и логического уровня, снижающие сложность проектирования в приложениях средней и малой мощности
Р-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ на 60 В в корпусе DPAK представляют собой новую технологию, предназначенную для приложений управления аккумуляторами, переключения нагрузки и защиты от обратной полярности. Основным преимуществом P-канального устройства является снижение сложности проектирования в приложениях средней и малой мощности. Простой интерфейс с MCU, быстрое переключение, а также лавинная стойкость делают его пригодным для применения в высококачественных и требовательных приложениях. Они выпускаются с нормальным и логическим уровнем, характеризуются широким диапазоном RDS(on) и повышают эффективность при низких нагрузках благодаря низкому Qg.
Краткое описание характеристик:
Большинство изделий соответствует стандарту AEC Q101
Широкий диапазон RDS(on)
Наличие нормального уровня и логического уровня
Преимущества:
Простой интерфейс с MCU
Повышенная эффективность при низких нагрузках благодаря низкому Qg
Быстрое переключение
Лавинная прочность
Целевые применения:
Батарея
Потребительские
Промышленная автоматизация
Промышленные приводы
Р-канальные МОП-транзисторы OptiMOS™ на 60 В в корпусе DPAK представляют собой новую технологию, предназначенную для приложений управления аккумуляторами, переключения нагрузки и защиты от обратной полярности. Основным преимуществом P-канального устройства является снижение сложности проектирования в приложениях средней и малой мощности. Простой интерфейс с MCU, быстрое переключение, а также лавинная стойкость делают его пригодным для применения в высококачественных и требовательных приложениях. Они выпускаются с нормальным и логическим уровнем, характеризуются широким диапазоном RDS(on) и повышают эффективность при низких нагрузках благодаря низкому Qg.
Краткое описание характеристик:
Большинство изделий соответствует стандарту AEC Q101
Широкий диапазон RDS(on)
Наличие нормального уровня и логического уровня
Преимущества:
Простой интерфейс с MCU
Повышенная эффективность при низких нагрузках благодаря низкому Qg
Быстрое переключение
Лавинная прочность
Целевые применения:
Батарея
Потребительские
Промышленная автоматизация
Промышленные приводы
Характеристики
Другие характеристики | для автомобильных технологий, лавинный |
Тип | MOSFET |
Напряжение | -60 V |
Так же смотрят