Описание

Оптический датчик приближения представляет собой чип фотодиода InGaAs/InP с верхней подсветкой, планарная структура, анод спереди, катод сзади, размер квадратной активной области 570um*570um, с высокой ESD, низким темным током и другими характеристиками, имеет высокий отклик в диапазоне длин волн 1300nm~1550nm. Отклик в диапазоне длин волн 300нм~750нм очень мал, что решает проблему оптического приема OLED экрана.

Характеристики

Высокая конструкция электростатического разряда.
Анод сверху и катод сзади.
Низкий темновой ток.
Отличная отзывчивость и высокий коэффициент усиления.
квадратная активная область 570 мкм x 570 мкм
Превосходная надежность: Все микросхемы прошли квалификационные испытания в соответствии с требованиями Telcordia -GR-468-CORE.

Области применения

Датчик освещенности.
Отключение сенсорного экрана сотового телефона.