Диод с основной несущей способностью, использующий технологию Шоттки на материале SiC с широкой полосой пропускания
Положительный температурный коэффициент VF для легкого запараллеливания
Практически полное отсутствие хвоста восстановления и потерь на переключение

- Температурно инвариантное поведение переключения
- 175 °C максимальная рабочая температура спая
- Структура MPS для высокой прочности к прямому току
скачки напряжения
- Соответствует требованиям JESD 201, класс 1A, испытание на вискер
- Температура паяльной ванны 275 °C максимум, 10 с согласно
JESD 22-B106

Диод Шоттки 650 В на основе SiC с широким зазором, разработанный для обеспечения высокой производительности и прочности. Оптимальный выбор для высокоскоростного жесткого переключения и эффективной работы в широком диапазоне температур, также рекомендуется для всех приложений, страдающих от сверхбыстрого восстановления кремния
сверхбыстрого восстановления. Типичные применения включают AC/DC PFC и DC/DC ультра
высокочастотное выпрямление выходного напряжения в преобразователях FBPS и LLC.